标 题 |
作者 |
时间 |
ZCC5090EA 替代CS5090EA ,5V升压充电管理 |
zcwlt |
10-31 |
探索TB62214FG:高性能双极步进电机驱动IC,助力精确 |
990123167 |
10-31 |
Kioxia开始量产首款QLC UFS Ver. 4.0嵌入 |
国际电讯 |
10-31 |
小体积封装的全新数字红外接近检测模块-WH4535V |
工采电子 |
10-31 |
AM4562C-T1-PF-VB一种N+P—Channel沟 |
VBsemi |
10-31 |
AM4560C-T1-PF-VB一种N+P—Channel沟 |
VBsemi |
10-31 |
AM4545C-T1-PF-VB一种N+P—Channel沟 |
VBsemi |
10-31 |
AM4543C-T1-PF-VB一种N+P—Channel沟 |
VBsemi |
10-31 |
AM4542C-T1-PF-VB一种N+P—Channel沟 |
VBsemi |
10-31 |
CKS16X12T/CKS16X12R 型12 路光纤驱动器 |
zcwlt |
10-30 |
AM4541C-T1-PF-VB一种N+P—Channel沟 |
VBsemi |
10-30 |
AM4541CE-T1-PF-VB一种N+P—Channel |
VBsemi |
10-30 |
AM4540C-T1-PF-VB一种N+P—Channel沟 |
VBsemi |
10-30 |
AM4407PE-T1-PF-VB一种P—Channel沟道 |
VBsemi |
10-30 |
采用高压bipolar工艺制程的耐高压双极锁存霍尔芯片-AH |
工采电子 |
10-30 |
GT304L-四通道电容式触摸IC_触摸感应芯片 |
gongcai |
10-29 |
AM4407M8VR-VB一种P—Channel沟道SOP8 |
VBsemi |
10-29 |
AM4407M8R-VB一种P—Channel沟道SOP8封 |
VBsemi |
10-29 |
AM3414E3R-VB一种N—Channel沟道SOT23 |
VBsemi |
10-29 |
AM3407RA-VB一种P—Channel沟道SOT23封 |
VBsemi |
10-29 |
AM3407E3R-VB一种P—Channel沟道SOT23 |
VBsemi |
10-29 |
立体24位低功率多路直接声音采集编码器-CJC6808 |
工采电子 |
10-29 |
-10V/200mA 低噪声、低压差负压LDO-ZCC120 |
zcwlt |
10-28 |
2025CAEE家电与消费电子制造业供应链展览会 |
18020187137 |
10-28 |
CAEE2025家电与消费电子制造业供应链展览会 移师深圳国 |
18020187137 |
10-28 |
舞台灯电机驱动芯片_步进驱动ic-选型指南_应用方案 |
gongcai |
10-28 |
AM3407AE3R-VB一种P—Channel沟道SOT2 |
VBsemi |
10-28 |
AM3406E3R-VB一种N—Channel沟道SOT23 |
VBsemi |
10-28 |
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