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碳化硅（SiC）肖特基二极管作为一种新型宽禁带半导体器件，凭借其高耐压、高效能和快速开关特性，广泛应用于电力电子、汽车电子、新能源和工业控制等领域。

1.正向电流（IF）

正向电流是指二极管在正向偏置时所能承受的最大连续电流。这个参数决定了二极管能够承载的负载能力。选择时需确保额定正向电流大于电路中实际工作的最大电流，以保证器件安全可靠运行。

2.反向电压（VR）

反向电压，也称为最大反向阻断电压，是二极管能够承受而不发生击穿的最大电压值。碳化硅肖特基二极管由于材料的宽禁带特性，通常具有很高的耐压能力，适合高压应用需求。

3.正向压降（VF）

正向压降是二极管在正向导通状态下两端的电压降。碳化硅肖特基二极管的正向压降一般低于传统硅肖特基二极管，减少了导通损耗，提高了系统效率。低压降有利于降低器件发热，提升可靠性。

4.反向恢复时间（trr）

反向恢复时间是二极管由导通状态恢复到截止状态所需的时间。碳化硅肖特基二极管因其无或极低的存储电荷，反向恢复时间极短，几乎为零，因此开关速度快，有效降低开关损耗，适用于高频开关电源。

5.漏电流（IR）

漏电流是指二极管在反向偏置时流过的微小电流。碳化硅材料使得漏电流显著低于硅材料，提升了器件的性能表现和散热需求，尤其在高温环境下优势明显。

6.工作温度范围

碳化硅肖特基二极管能够在高温环境下稳定工作，通常最大结温可达175℃甚至更高，这使其适合恶劣工况和高温应用。

7.封装形式与热阻

器件的封装对其散热性能影响极大。良好的封装设计能够降低结温，提高器件的可靠性和寿命。常见的封装形式包括TO-220、TO-247等，热阻参数则体现了器件从结温到环境温度的热传导效率。

碳化硅肖特基二极管凭借其优异的电气性能和热性能，已经成为高效能电力电子器件的首选。主要参数如正向电流、反向电压、正向压降、反向恢复时间和漏电流等都是选型和设计的关键指标。

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