EPCOS/TK-EP9 IGBT栅极驱动变压器是一种紧凑型器件，采用SMD L引脚结构的MnZn铁氧体磁芯。这些变压器具有优异的绝缘性、最小的耦合电容和高热弹性。EP9 IGBT栅极驱动变压器支持半桥或推挽拓扑结构。这些变压器具有2pF的低耦合容量和≥5mm的间隙距离（累积和铁芯浮动）。EP9 IGBT栅极驱动变压器在100kHz至400kHz的频率范围和-40°C至150°C的温度范围内运行。这些变压器符合RoHS标准，并通过AEC-Q200认证。EP9 IGBT栅极驱动变压器是专门为IGBT和FET栅极驱动电路设计的。典型应用包括隔离式DC-DC转换器、隔离式AC-DC转换器和栅极驱动器电路。

具备的特征

2pF低耦合容量

2500VAC高试验电压（50Hz，1秒；VAC）

100kHz至400kHz工作频率范围

B82804E0164A200：

半桥拓扑

1:2.8:1.53匝数比

B82804E0473A200：

推挽拓扑

1:2.9:1匝数比

≥5mm爬电和间隙距离（累计和铁芯浮动）

-工作温度范围为40°C至150°C

13mm x 11mm占地面积

提供磁带和卷轴包装

符合ROHS

AEC-Q200认证版本E

应用

逆变系统用IGBT/MOSFET栅极驱动变压器

推拉转换器

500V系统电压下的电动汽车和工业要求

DC-DC转换器的辅助变压器

DC-DC电源

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