全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布，已开始提供全新的通用闪存存储(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品，进一步巩固其在高性能存储领域的领先地位。这些新设备专为满足下一代移动应用程序的需求而设计，包括搭载设备端AI的高级智能手机，它在小型BGA封装中实现了性能提升与更高的能效(3)。

Kioxia的UFS 4.1版本设备在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。这些全新UFS设备采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存(1)打造。该代产品引入了CBA（CMOS直接键合阵列）技术——这一架构创新标志着闪存设计的重大飞跃。通过将CMOS电路直接键合至存储阵列，CBA技术大幅提升了能效、性能和存储密度。

Kioxia的UFS 4.1版本设备兼具高速与低功耗特性，旨在提升用户体验，实现更快的下载速度和更流畅的应用程序运行表现。

核心特性包括：

• 提供256 GB、512 GB和1 TB三种容量选择

• 性能较上一代产品提升(3)：

• 随机写入：512 GB / 1 TB版本提升约30%

• 随机读取：512 GB版本提升约45%，1 TB版本提升约35%

• 能效较上一代产品提升(3)：

• 读取：512 GB / 1 TB版本提升约15%

• 写入：512 GB / 1 TB版本提升约20%

• 支持主机发起的碎片整理功能，可延迟垃圾回收，确保关键场景下的持续高速性能

• 写入加速(WriteBooster)缓冲区可调整大小，为优化性能提供更高灵活性

• 符合UFS 4.1版本标准

• 1 TB型号的封装高度较上一代产品有所降低(4)

• 采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存(1)

注：
(1) 仅适用于512 GB / 1 TB型号。
(2) 通用闪存存储(UFS)是一类符合JEDEC UFS标准规范的嵌入式存储产品。凭借串行接口，UFS支持全双工模式，可实现主机处理器与UFS设备之间的并发读写。
(3) 分别与上一代512 GB设备“THGJFMT2E46BATV”和1 TB设备“THGJFMT3E86BATZ”相比（仅适用于512 GB / 1 TB型号）。
(4) 上一代1 TB设备型号为“THGJFMT3E86BATZ”。

*在每次提及Kioxia产品时：产品密度是根据产品内部存储芯片的密度确定的，而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在冗余数据区、格式化、坏块及其他限制，消费者可使用的容量会更少，且可能因主机设备和应用程序的不同而有所差异。详情请参考相关产品规格。1 KB定义为2^10字节=1,024字节。1 Gb定义为2^30比特=1,073,741,824比特。1 GB定义为2^30字节=1,073,741,824字节。1 Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。1 TB=2^40字节=1,099,511,627,776字节。

*读写速度为Kioxia Corporation在特定测试环境下获得的最佳值，Kioxia Corporation不对单个设备的读写速度作出保证。实际读写速度可能因所用设备及读写文件大小而有所不同。

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