CMD245C4 是Custom MMIC研发的一款宽带（C、X、Ku、K 波段）砷化镓（GaAs）微波单片集成电路（MMIC）低噪声系数射频/微波放大器（LPNA），使用无引线表面贴装（SMT）封装，CMD245C4主要用于机载雷达、卫星通讯、高频检测设备等对噪声系数敏感的领域，其高灵敏度和宽频带性能能够满足复杂情况下的信号放大需求。

核心参数

频率范围：6 GHz 至 18 GHz

增益：18 dB

噪声系数：4.5 dB

饱和输出功率（Psat）：+21 dBm

相位噪声：-165 dBc/Hz

三阶截点（OIP3）：29 dBm

输入/输出回波损耗：10 dB / 12 dB

电源电压：3 V 至 5 V

电流损耗：76 mA

封装：4.0 mm ×4.0 mm 陶瓷 QFN（无引线表面贴装）

关键特性

低噪声系数：CMD245C4 在 10 GHz 时噪声系数低至 -165 dBc/Hz（10 kHz 偏移），特别适合对噪声系数敏感的应用，如雷达探测、电子战和卫星通讯。

宽带宽覆盖：适用 C、X、Ku、K 波段（6–18 GHz），可覆盖多个频率段需求，减少系统开发复杂度。

高动态范围：增益为 18 dB，OIP3 达 29 dBm，能有效处理高信号电平，从而确保低失帧。

低电流损耗：负载电流仅 76 mA，适用于电源供电或功耗敏感性的应用场景。

50 Ω匹配设计：无需外部射频端口匹配，优化电源设计，不占用空间和成本。

无铅 RoHS 兼容：选用 4x4 SMT 封装，符合环保标准，有利于智能化生产。

优势总结

性能卓越：低噪声、低噪声系数、高动态范围，满足严格射频需求。

操作灵活性：宽带宽支持多频率段应用，减少器件替换成本。

便捷性：50 Ω匹配设计，优化设计流程，加速产品上线。

安全可靠性：陶瓷 QFN封装，适用极端环境，适用于军事和太空应用。

应用领域

国防军事与航空航天：雷达探测、电子战、卫星通讯。

通讯系统：微波链路、点对点通信、测试与测量。

科研与工业：高频信号放大、频谱分析、射频系统设备。

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