AM010WX-BI-R砷化镓高电子迁移率晶体管现货库存

AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化镓高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT），选用陶瓷 BI 封装，频率范围高达 12 GHz，适用于的L / S / C波段宽带功率应用。AM010WX-BI-R 以 高频性能、高效散热、灵活安装 为核心优势，适用于无线本地环路、驱动放大器、无线通讯、VSAT和机载雷达。

核心指标

- 频率范围：DC–12GHz

- 增益：16 dB（4 GHz 典型值）

- 1dB压缩点输出功率 P1dB：28.5 dBm（≈ 0.71 W）

- 饱和输出功率 PSAT：30dBm

- 漏极电压 VD：8V

- 典型功率附加效率：53%@4GHz

- 封装：陶瓷 BI 贴片封装，底部法兰盘同时作为DC/RF的和散热通道，满足RoHS。

技术特征

高频性能优异：GaAs pHEMT技术结合陶瓷封装，实现低损耗、高隔离度，满足 12 GHz频段需求。

散热设计：底部法兰盘直接作为热路径，有效导出器件工作产生的热量，保障长期稳定性。

安装灵活性：弯曲或直引线设计，兼容自动化贴装与手工焊接，适应不同生产场景。

环保合规：满足 RoHS 标准，无铅化设计符合全球环保法规要求。

应用场景

无线通讯：作为驱动放大器，提高通信基站、中继器等设备的数据传输距离与质量。

卫星通信：在C 波段 VSAT 系统中实现高频信号放大，支持宽带数据传输。

机载雷达：为雷达发射机提供高功率、高效率的射频信号，增强探测能力。

无线电设备：用于高频无线通讯收发器，实现信号调制与解调的关键功能。

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