晶台光耦的技术优势体现在多维度参数优化。以KL3H7为例，其采用SSOP4封装，隔离电压达3750Vrms，电流传输比（CTR）范围灵活，在5mA驱动电流下CTR为50%~600%，10mA时仍可达40%~320%，可适配不同功率等级的充电器设计。这种宽动态范围使其在车载充电器或高功率充电桩中表现突出，能将高压侧的电压采样信号安全传递至低压控制电路。此外，KL101X系列通过4引脚LSOP超小型化设计，厚度仅2.2mm，完美适配氮化镓（GaN）快充的紧凑布局需求，同时满足RoHS、REACH及无卤素标准，通过CQC、UL、VDE等安规认证。

在PD 3.1协议支持240W功率的场景下，晶台光耦进一步展现其技术价值。其低传输延时特性确保信号快速响应，优化热管理与信号完整性，抵御高频开关电源中的电磁干扰（EMI）。其低功耗特性助力快充设备在高效能与小型化之间取得平衡。晶台通过持续创新，推动光耦与GaN技术的融合，为下一代更高效、更安全的快充解决方案提供核心支撑。

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