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ADPA1120是一款8GHz至12GHz的功率放大器，饱和输出功率（POUT）为36.5dBm，功率附加效率（PAE）为47%，在输入功率（PIN）为1dBm时，9.5GHz至11.5GHz的典型功率增益为35.5dB。RF输入和RF输出是内部匹配和AC耦合的。20V的漏极偏压被施加到VDD1-2、VDD3和VDD4引脚。通过向VGG1-2引脚施加负电压来设置漏极电流。

操作原理

ADPA1120是一款GaN功率放大器，可提供36.5dBm（4.5W）的脉冲功率。该器件由四个级联增益级组成。简化框图如图所示。

施加到VDD1-2、VDD3和VDD4引脚的正偏置电压分别向第一、第二、第三和第四增益级的漏极提供偏置（必须使用单个公共电源电压）。负DC电压分别施加到第一、第二、第三和第四增益级的VGG1-2、VGG3和VGG4栅极偏置引脚，以允许控制每个级的漏极电流。

当输入功率为1dBm时，在9.5GHz至11.5GHz的频带内，推荐的直流偏置导致典型的脉冲射频POUT和PAE分别为36.5dBm和47%。

ADPA1120具有AC耦合的单端RFIN和RFOUT端口。这些端口的阻抗标称为50Ω 在8GHz至12GHz的工作频率范围内。因此，ADPA1120可以直接插入50Ω 该系统不需要外部阻抗匹配组件或AC耦合电容器。

RF输出信号（RFOUT）的一部分被定向耦合到二极管以检测RF POUT。当二极管通过电阻器从外部进行直流偏置时，它会对射频功率进行整流，并将其作为直流电压提供给VDET。为了允许VDET的温度补偿，通过未耦合到RF电源的相同二极管检测到的参考DC电压在VREF引脚上可用。VREF−VDET的差值提供了一个与RF POUT成比例的温度补偿探测器电压。

在-40°C时，小信号增益会显著下降，因为器件的偏置电压接近晶体管夹断电压。如图所示，在低温条件下，夹断电压向正偏移。因此，需要更正的栅极电压来导通晶体管并使电流流动。在小信号电平和低温下的增益远低于室温；然而，在大信号电平下的性能与预期一致，如下图所示。

本数据表中的数据是通过将漏极电流设置为标称IDQ（即50mA）来获取的。在确定该初始IDQ之后，栅极电压在随后的测试和操作中保持恒定。随着在固定VGG栅极电压下的持续操作，IDQ可能会增加一定量。在长期操作期间保持栅极电压恒定比保持标称IDQ恒定提供了更一致的RF性能。

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