AM012535MM-EM-R功率放大器现货库存

AM012535MM-EM-R是AMCOM公司生产的一款 GaAs MMIC 功率放大器，属于 AM012535MM-XX-R 系列，凭借先进的表面贴装（SMT）陶瓷封装工艺，不仅实现了紧凑的体积设计，还确保了出色的电气性能与可靠性，广泛适用于各类高频通信及射频应用场景。

规格参数

• 工艺：0.25 µm GaAs pHEMT，单片微波集成电路（MMIC）
• 封装：SMT 陶瓷 4 mm × 4 mm QFN（16-lead，带裸焊盘），卷带包装（-R 后缀）
• 频率：0.03 – 2.5 GHz
• 小信号增益：20 dB（典型，@ 0.5–1.5 GHz）
• 饱和输出功率 Psat：33 dBm（≈ 2 W，@ 6–20 V 漏极偏置）
• 功率附加效率 PAE：35 % – 40 %（取决于频率与偏置）
• 静态电流 Idq：220 mA（@ Vd = 10 V，Vg = –0.7 V 典型）
• 输入/输出阻抗：50 Ω 已内部匹配，片内直流阻断电容
• 绝对最大额定值
– 漏极电压 Vd：20 V
– 栅极电压 Vg：–3 V 至 0 V
– 沟道温度 Tch：+150 °C
– 存储温度：–55 °C ~ +150 °C

技术：采用砷化镓（GaAs）工艺制造，具有体积小、重量轻、可靠性高的优点。

封装类型：表面贴装（SMT），便于自动化组装和生产。

RoHS 兼容：符合环保标准，不含有害物质。

应用领域

• 小型蜂窝/微蜂窝 LTE、WCDMA、CDMA 功放链路末级
• 0.5–2.5 GHz 软件无线电（SDR）功率推动级
• 宽带干扰源、ISM 频段 (433/868/915 MHz) 高功率发射
• 测试仪器（跟踪源、宽带放大器）输出缓冲

型号后缀 封装/等级 关键差异

-EM-R 商用 4×4 QFN 0.03–2.5 GHz，33 dBm，本帖主角
-CM-R 商用 4×4 QFN 0.05–3.0 GHz，31 dBm，增益略低
-FM-R 军用 -55~+125 °C 同 -EM-R 频带，做过温筛
-HM-R 高功率 5 W 版本 4–8 V 工作，Psat 37 dBm，封装 5×5 mm
无 -R 裸片或陶瓷管壳 需金丝键合，实验室微组装用

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