一、干扰源定位
近场探头扫描显示干扰频谱与变频器开关频率谐波吻合。频谱仪在200kHz、400kHz、1.2MHz处出现尖峰，幅值超出限值8-12dB。动力电缆未屏蔽导致辐射耦合至电源线。
二、三级滤波强化
输入端改造安装二级滤波器，共模扼流圈电感量提升至15mH，额定电流150A，直流电阻小于5mΩ。Y电容容量增至4.7nF/500VAC，确保漏电流小于30mA符合安规。
电缆替换动力电缆更换为双屏蔽结构，屏蔽层编织密度90%，铝箔覆盖率100%。屏蔽层双端接地，接地电阻实测0.08Ω。
MOS管吸收逆变桥臂每个MOS管漏源极并联RC吸收网络，参数10Ω+1nF。电阻选用2W功率型，电容为C0G介质。实施后开关尖峰电压从92V降至58V，dV/dt下降40%。
三、PCB系统重构
地平面分离功率地与信号地采用星型单点连接，连接点放置在直流母线电容负极。驱动信号走线长度从25mm缩短至12mm，减少地环路面积60%。
MOS管选型更换为ASIM40N50系列，关键参数：Ciss=1800pF，Crss=85pF，Qg=38nC。其寄生电感比原型号降低40%，开关振铃幅值下降8dB。该系列提供AEC-Q101认证，交期稳定6-8周。
四、整改效果量化
复测传导发射衰减18dB，全频段满足Class B限值并有6dB裕量。PLC误动作归零，生产效率提升。MOS管开关损耗增加3%，系统整体效率维持在96.2%，温升测试合格。
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