FM25Q16 是一款 16 Mbit（2 048 Kbyte）串行闪存，具备增强的写保护机制。支持标准 SPI、双线/四线 I/O 以及 2-clock 指令周期的四线外设接口（QPI）。适用于代码映射到 RAM、直接通过 Dual/Quad SPI 执行代码（XIP），以及语音、文本和数据的存储。

支持 1～256 字节的页编程，可按单扇区/块擦除，也可整片擦除。可配置软件保护模式，每个扇区/块最少可承受 100 000 次编程/擦除循环。

特征

16 Mbit 闪存

512 个统一 4 Kbyte 扇区

32 个统一 64 Kbyte 块 或 64 个统一 32 Kbyte 块

每页 256 字节可编程

宽工作范围

单电源 2.7 V～3.6 V

工业级温度范围

串行接口

标准 SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#

Dual SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#

Quad SPI：CLK、CS#、DQ0～DQ3

QPI：CLK、CS#、DQ0～DQ3

支持连续读模式

支持编程/擦除挂起与恢复

真 XIP（就地执行）操作

高性能

FAST_READ 最高时钟 104 MHz

Dual I/O 传输速率高达 208 Mbit/s

Quad I/O 传输速率高达 416 Mbit/s

典型页编程时间 1.5 ms

典型扇区擦除时间 90 ms

典型块擦除时间 500 ms

典型整片擦除时间 16 s

低功耗

典型待机电流 1 µA

引脚配置及说明

串行时钟（CLK）

为所有串行输入/输出提供时序。

串行数据输入/输出及双向 IO（DI、DO、DQ0～DQ3）

标准 SPI：DI 单向输入指令/地址/数据，DO 单向输出数据/状态。

Dual/Quad SPI 及 QPI：使用双向 DQ 引脚，在 CLK 上升沿写、下降沿读。

Quad SPI 与 QPI 需将状态寄存器-2 的 QE 位置 1；此时 WP# 变 DQ2，HOLD# 变 DQ3。

片选（CS#）

高电平时器件取消选中，DO/DQ 呈高阻，功耗降至待机；低电平时器件选中，可接收指令并读写数据。上电后必须有一次高→低跳变才能开始新指令。如需要，可通过上拉电阻确保上电时 CS# 跟随 VCC。

保持（HOLD#）

低电平且 CS# 为低时暂停器件：DO 高阻，忽略 DI 与 CLK；回到高电平后继续操作。多器件共享 SPI 总线时有用。QE=1 时此引脚被 DQ3 占用，HOLD 功能失效。

写保护（WP#）

低电平有效，用于阻止写状态寄存器。与状态寄存器的块保护位（CMP、SEC、TB、BP2～BP0）及 SRP 位配合，可对最小 4 Kbyte 扇区至整片存储区进行硬件保护。QE=1 时此引脚被 DQ2 占用，WP 功能失效。

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