全球消费电子正经历由端侧AI硬件驱动的结构性升级。预测显示，2025年AI眼镜销量将突破350万台（同比+230%），2035年有望达14亿台级别，体量接近智能手机。其背后的三股合力正在加速市场由“尝鲜”迈向“规模化”：

技术成熟：端侧大模型（如通义千问、文心一言）+ 轻量化AR/显示，使眼镜具备多模态交互与全天候佩戴的基础条件；

巨头竞逐：阿里、华为、小米、百度、腾讯、360 等集中上新，行业共识快速形成——“显示，是AI眼镜的差异化关键”；

场景拓展：从实时翻译/会议纪要到运动健康/工业巡检，AI眼镜正从“单一卖点”转向“通用智能终端”，然而，硬件端仍面临严峻挑战！

01｜硬件三大约束：空间、功耗与高频

空间极限
眼镜腿需同时容纳电源、显示、连接、音频与传感器，器件厚度需压缩至 0.8 mm 以下。这要求功率器件不仅要小，还得在极小热容与受限散热条件下长期稳定。

功耗瓶颈
要实现7天待机，传感器侧漏电需**< 0.5 µA**；语音交互要清晰，音频链路 THD < 0.05%。这不只是“单点指标”，而是整机功耗预算与用户体感的硬门槛。

高频需求
Micro OLED 驱动120 Hz刷新，要求开关器件具备低Qg/低延迟/低寄生；Wi-Fi 6E 等高频通信链路，对电源噪声/瞬态抑制/损耗极为敏感，系统级损耗削减目标可达 60% 量级（含布线、磁件与功率器件协同）。

工程启示：AI眼镜的功率器件不只是“耐压/导阻”，而是厚度、寄生、热阻、Qg、噪声等多维参数在空间—功耗—高频三角中的综合最优。

02｜VBsemi 的方法与产品矩阵

VBsemi 依托芯片级封装与超低功耗架构，围绕“薄、冷、静”（薄型化、低热、低噪）三大方向，为 AI 眼镜提供可批量落地的 MOSFET 方案。下面按模块拆解“为何选它 & 如何用好”。

A. 电源管理模块（主电源/快充/保护）

VBQF1306（30 V / 5.2 mΩ）

场景：Buck/Boost 主电源变换

特点说明：

1 MHz 高开关频率 → 缩小电感与磁件，满足轻薄化；

Qg ≈ 8 nC → 降低开关损耗与驱动功耗，效率-体积双优；

静态功耗较2024年主流下降约37% → 续航可见增量。

落地要点：

建议与**低门极电阻（2–5 Ω）**的驱动策略联动，在EMI与效率间寻找最佳涌动速度（dV/dt）；

DFN3×3 / 厚度约 0.8 mm 封装利于眼镜腿走线与热扩散（铜箔铺地 + 多排导热过孔）。

VBGQA1602（60 V / 2 mΩ）

应用场景：电池保护 & 充放电管理、Type-C/无线充

特点说明：

集成反向阻断，防倒灌；

过流/过压保护提升鲁棒性；

DFN5×6 封装兼顾功率密度与热路径。

使用建议：

充电/放电通道建议背靠背拓扑以提升反向隔离与ESD稳健性；

对快充工况，关注脉冲 SOA 与瞬态热阻 Zθ，评估短脉冲大电流下的结温爬升。

封装亮点：VBsemi DFN8（3×3） 系列（如 VBQF1306）厚度约 0.8 mm，对眼镜腿型腔尤为友好。

B. 显示驱动模块（Micro OLED / LCoS）

VBQF1202（20 V / 3 mΩ）

应用场景：Micro OLED 行驱动

特点说明：

120 Hz 支持，< 15 ns 延迟 → 运动清晰度与拖影控制；

3.3 V 驱动友好，匹配硅基 OLED 系统功耗。

布线与EMI：

行扫上升沿/下降沿的slew rate需与面板电容匹配，过快易 EMI，过慢致拖影；

TSSOP 形态利于高密度扇出，建议独立回流路径降低地弹（ground bounce）。

VBGQA1602（60V / 2mΩ）

应用场景：背光PWM调光控制

特点说明：

支持0.1%~100%无级调光，解决PWM频闪问题

提升用户视觉舒适度，尤其适用于户外强光环境

适用屏幕类型：OLED、LCoS等多种显示方案

场景适配建议：

若采用LCoS方案，建议搭配VBsemi的VBHM系列（高压40V），支持动态光圈调节与亮度补偿，提升图像清晰度。

C. 传感器与通信模块（多传感融合 / Wi-Fi 6E/mmWave电源侧）

推荐型号：

VBQA1401（12V / 0.8mΩ）

应用场景：传感器负载开关控制

特点说明：

漏电流<0.5μA，显著延长待机时间至7天以上

支持多路传感器电源控制，如摄像头、加速度计等

集成软启动功能，防止上电冲击损坏摄像头模组

适用芯片：适用于AI眼镜中多传感器融合管理需求

VBGQF1101N（SGT MOSFET / 100V）

应用场景：Wi-Fi 6E/毫米波射频功放控制

特点说明：

开关损耗比传统硅基MOSFET低60%，提升射频模块能效

支持高频率通信（6GHz以上），保障AI眼镜的实时通信与远程控制

优势总结：适用于高带宽、低延迟的无线通信系统

D. 音频模块（骨传导/微型扬声器驱动）

E. 推荐型号：

VB1695（Trench结构 / 50V）

应用场景：骨传导扬声器驱动电路

特点说明：

THD（总谐波失真）<0.05%，确保语音指令与通话质量

支持20kHz超高频响应，满足高清音频传输需求

输入电容Ciss仅350pF，降低语音识别延迟

03｜充电仓系统：从“4+2”到“4+4”的器件配置

 一、核心功率模块：至少需 6-8颗 MOSFET

无线充电全桥电路（4颗）

无线充电采用电磁感应原理，需由4颗MOSFET组成H桥拓扑，驱动线圈产生交变磁场。

参考华为80W超级无线充电器设计，其无线充电管理模块明确使用4颗MOSFET控制线圈电流。

磁吸触点充放电管理（2-4颗）

磁吸触点需独立控制充放电通路：

基础方案：2颗MOSFET（1颗充电控制+1颗放电控制），背靠背串联防止电流倒灌。

增强方案：4颗MOSFET（双N沟道组合），提升大电流承载能力与散热效率，适用于快充场景。

推荐型号：

VBGQA1602（60V / 2mΩ）

应用场景：充电仓主功率MOSFET

特点说明：

支持Type-C与无线快充协议，适配主流充电标准

内置反向电流阻断功能，保护电池与主控板

系统优势：高效率、高可靠性，适用于多设备同时充电

二、辅助电路模块：约 2-3颗 MOSFET

同步升压/降压转换（1-2颗）

为匹配眼镜电池电压，充电仓需DC-DC变换电路。例如：

80W无线充的同步升压模块使用2颗MOSFET。

低功率场景可能仅需1颗MOSFET配合电感。

输入保护与路径管理（1颗）

用于USB-C接口的输入过压/过流保护，通常配置1颗MOSFET作为开关管。

VBQF1306（30V / 5.2mΩ）

应用场景：充电仓电源管理DC-DC转换器

特点说明：

高频开关设计，减少电感尺寸，节省空间

适用于充电仓内部多路电源管理方案

封装优势：DFN3x3小型封装，适配充电仓紧凑结构

04｜AI眼镜MOSFET选型策略

电源管理模块推荐型号：VBQF1306、VBGQA1602 主要特点：高效、低功耗、高频、集成保护

显示驱动模块推荐型号：VBQF1202、VBGQA1602 主要特点：低延迟、支持高刷新率与无频闪调光

传感器/通信模块推荐型号：VBQA1401、VBGQF1101N 主要特点：低漏电流、高频率、低损耗

音频驱动模块推荐型号：VB1695 主要特点：低失真、高保真、低延迟

充电仓模块推荐型号：VBGQA1602、VBQF1306 主要特点：支持快充、无线充、集成保护

随着 AI 眼镜成为各大互联网厂商竞相布局的核心终端，其硬件设计对精细化与集成化的要求日益严苛。VBsemi 凭借在功率 MOSFET 领域的深厚积淀，以一系列适配 AI 眼镜各功能模块的高性能、高集成度产品为支点，助力厂商突破设计瓶颈，打造更轻薄、智能、高效的下一代 AI 穿戴设备。而这些为 AI 眼镜注入核心动力的技术突破，即将在 ELEXCON 2025 深圳国际电子展上直观呈现 

展会信息：ELEXCON 2025 深圳国际电子展

展览时间：2025年8月26日 – 28日
展馆地址：深圳会展中心（福田）
VBsemi展位：1号馆 · 1N50
AI眼镜专区展位：1号馆 · 1A36

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