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CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器
立维 | 2025-12-12 09:40:59    阅读:18   发布文章

CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器

CHA8107-QCB 是 United Monolithic SemiconductorsUMS)推出的一款两级氮化镓(GaN)高功率放大器(HPA)单片微波集成电路(MMIC),主要面向 4.5-6.8GHz 频段应用,采用 GaN-on-SiC HEMT 工艺并带湿度保护,封装为 QFN 塑封。具备高功率输出、高效率及宽电压工作范围等特性。

核心参数

频率范围:4.5-6.8GHz,覆盖 波段及部分 波段应用场景。

输出功率:

饱和输出功率:8W 至 20W(取决于工作电压)。

1dB 压缩点输出功率(P1dB):未直接标注,但根据典型 GaN HPA 性能推测,接近饱和功率的 80%-90%

增益:两级放大设计,总增益约 20dB(具体值需参考官方数据手册)。

效率:功率附加效率(PAE)达 58%(典型值,高功率模式下),显著优于传统硅基器件。

工作电压:漏极电压(Vds)范围 14V 至 24V,支持宽电压输入以适应不同系统需求。

封装形式:QFNQuad Flat No-Lead)封装,兼顾散热性能与表面贴装(SMT)兼容性。

技术优势

GaN 材料特性:

高功率密度:GaN 的宽带隙特性使其在相同尺寸下输出功率远高于 GaAs 或硅基器件。

高频性能优异:在 6GHz 频段仍能保持高效率与线性度,适合宽带线性放大应用。

高击穿电压:支持高电压工作,减少电流需求,降低系统损耗。

两级放大设计:

通过两级放大实现高增益,同时优化级间匹配网络,提升整体效率与带宽。

内部集成匹配电路,减少外部元件数量,简化设计流程。

宽电压工作范围:

支持 14V 至 24V 漏极电压,适应不同电源系统,增强灵活性。

应用场景

5G 通信:

覆盖 5G NR 频段(如 n77/n78),支持基站发射模块的高功率放大需求。

适用于大规模 MIMOmMIMO)系统,提升频谱效率与覆盖范围。

卫星通信:

用于低轨卫星(LEO)或地球静止轨道卫星(GEO)的通信终端,提供稳定的高功率信号传输。

雷达与电子战:

满足雷达系统对高功率、高效率及宽带宽的需求。

适用于电子对抗设备,实现信号干扰与抗干扰能力。

测试与测量:

作为射频信号发生器或频谱分析仪的功率放大单元,提供高精度、高稳定性的测试信号。

 

*同类产品对比:

Qorvo QPA2212D:类似频段(2.2-12GHzGaN HPA,输出功率 12W,但工作电压固定为 28V,灵活性略低。

Wolfspeed CGHV1J025D:覆盖 0.8-2.5GHz,输出功率 25W,适合更低频段应用。

UMS CHA8107-QCB 在 4.5-6.8GHz 频段内提供更高的功率密度与效率,且电压范围更宽。


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